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此外，关注在10nm弹道InSeFET中可靠地提取了62Ωμm的低接触电阻，导致了更小的内在延迟和更低的能量延迟积（EDP），远低于预测的硅极限。Science论文5纳米栅长碳纳米管晶体管实现了晶体管开关的量子极限，黄河入选ESI高被引用论文和热点论文，黄河入选2017年中国高校十大科技进展，2017年中国100篇国际高影响论文。

角上种（i）钇掺杂诱导的相变接触的示意性侧视图。洲盐治理盐 图2 InSe场效应管的电子特性和总电阻 © 2023SpringerNatureLimited（a,b）该研究的弹道2DInSeFET和其他2D短沟道FET的饱和输出特性（具有最大栅极电压）和总电阻比较。长期从事碳基电子学领域的研究，碱地碱地做出一系列基础性和开拓性贡献。

下新希望（g）与肖特基接触和欧姆接触相关的带隙示意图。人民日报（e）具有20nmLG的三个弹道2DInSeFET的典型传输特性和已报道的最佳开关亚50-nm2DFET。

然而，关注到目前为止，关注还没有实验结果表明，在0.7V的标准电源电压（商用硅10nm节点中的电源电压）下，基于2D半导体的FET的导通电流和跨导可以超过最先进的硅FET，基于2D半导体的FET的实验结果仍然远远落后于理论预测，不足以显示2D半导体的最终潜力。

黄河（c,d）VDD=0.5V时弹道2DInSeFET和VDD=1V时LG低于50nm的其他2DFET（VDD=VDS=VGS）的导通电流（ION）和峰值跨导比较。全球整机出货量152M，角上种同比下降3.6%。

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